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IBMリサーチの科学者たちは、相変化メモリ（PCM）と呼ばれる比較的新しいメモリ技術が、長期間にわたりセルあたり複数のデータビットを安定的に保存できることを初めて実証しました。この画期的な改良により、携帯電話やクラウドストレージなどのコンシューマーデバイス、そしてエンタープライズデータストレージなどの高性能アプリケーションにおいて、低コスト、高速、かつ耐久性に優れたメモリアプリケーションの開発が促進されます。速度、耐久性、不揮発性、そして高密度という3つの特長を兼ね備えたPCMは、今後5年以内にエンタープライズITおよびストレージシステムにパラダイムシフトをもたらす可能性があります。

科学者たちは長い間、今日最も広く普及している不揮発性メモリ技術であるフラッシュよりもはるかに優れた性能を持つ、汎用的な不揮発性メモリ技術を探し求めてきました。このようなメモリ技術の利点は、コンピュータとサーバを瞬時に起動させ、ITシステム全体の性能を大幅に向上させることです。有望な候補として、フラッシュよりも100倍高速にデータの書き込みと取得ができ、大容量ストレージを実現し、電源を切ってもデータが失われないPCMがあります。また、フラッシュとは異なり、PCMは非常に耐久性が高く、少なくとも1,000万回の書き込みサイクルに耐えることができます。一方、現在のエンタープライズクラスのフラッシュは30,000サイクル、コンシューマクラスのフラッシュは3,000サイクルです。3,000サイクルは多くのコンシューマ向けデバイスよりも長寿命ですが、30,000サイクルではエンタープライズアプリケーションには桁違いに短すぎます。（比較については表を参照）。

「組織や消費者がクラウドコンピューティングのモデルやサービスを採用するようになり、データの大半がクラウド上で保存・処理されるようになるにつれ、より強力で効率的でありながら、手頃な価格のストレージ技術が求められています」と、IBMチューリッヒ研究所のメモリおよびプローブ技術担当マネージャー、ハリス・ポジディス博士は述べています。「エンタープライズアプリケーションに求められる信頼性レベルを初めて達成したマルチビット相変化メモリ技術を実証することで、マルチビットPCMに基づく実用的なメモリデバイスの実現に向けて大きな一歩を踏み出しました。」

IBM チューリッヒ研究所の PCM 研究プロジェクトは、最近開設された Binnig および Rohrer ナノテクノロジー センターで引き続き研究されます。

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