Lamiyi

TechNews Taiwan（GforGames経由）が本日発表した新たなレポートによると、Appleの次世代iPhoneには2GBの高速RAMが搭載されるとのこと。Appleは今年、iPhoneシリーズに2GBのLPDDR4 RAMを導入すると報じられており、これによりLPDDR3と同等の消費電力を維持しながら、大幅なパフォーマンス向上が期待されます。

Appleは、次期iPhone 6sに2GBのLPDDR4 RAMを搭載することを決定したと報じられています。LPDDR4が前世代機と比べてもたらすメリットは、帯域幅が2倍（17GB/秒から34GB/秒に向上）でありながら、消費電力はLPDDR3と同等であることです。

iPhone 5 には 1GB の LPDDR2 RAM が搭載され、iPhone 5s、iPhone 6、iPhone 6 Plus には 1GB の LPDDR3 RAM が搭載されています。

さらに、Appleの次世代iPhoneには、Apple Watchに搭載されている「Force Touch」テクノロジーも搭載されます。Force Touchにより、iPhoneは軽いタップと深い押し込みを区別できるようになり、ユーザーインターフェースに新たな次元が加わります。

iPhone 6sは現行のiPhone 6と同じデザインだが、プロセッサやデュアルレンズカメラなどの内部が改良されていると噂されている。