Lamiyi

ソニーは本日、新たな次世代の裏面照射型CMOSイメージセンサーを開発したと発表した。

本イメージセンサーは、従来の裏面照射型CMOSイメージセンサーの支持基板に代えて、信号処理回路部が形成されたチップ上に、裏面照射型画素が形成された画素部を積層することで、高画質化、高機能化、小型化を実現し、カメラの進化に貢献します。

積層型CMOSイメージセンサーの特長
●高画質・高機能化に必要な大規模信号処理回路を内蔵
●イメージセンサーチップサイズの小型化
●高画質化に特化した製造プロセスの採用により、画素部のさらなる高画質化を実現
●回路部に最先端プロセスの採用により、高速化・低消費電力化を実現

ソニーはiPhone 4S用の画像センサーの一部を供給しているので、この技術はiPhone 5にも採用される可能性がある。