Lamiyi

iFixit と Chipworks が協力して、Apple A7 プロセッサ、M7 コプロセッサ、Qualcomm LTE モデム、iPhone 5s カメラセンサーを分解しました。

Chipworks社は、イオンビームエッチング装置（IBE）を用いて、イオンビーム内の原子を半導体に照射することで層を削り取ります。前処理済みのチップは、透過型電子顕微鏡（TEM）で検査します。

ハイライト:
● A7 の「ゲート ピッチ」(各トランジスタ間の距離) は 114 nm で、A6 の 123 nm と比較して低いことが判明しました。
● Apple は現在の 32 nm プロセスを改善するために、Samsung 独自の Galaxy シリーズの現在の主力 CPU である 8 コアの Samsung Exynos 5410 と同じ 28 nm プロセスで A7 を製造することを決定しました。
● A7 のトランジスタ レベルのダイ写真では、102 mm2 の領域に 10 億を超えるすべてのトランジスタが配置されていることがわかります。

完全な分解の様子は、以下のリンクからご覧いただけます。

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